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　　以色列芯片制造商Tower Semiconductor当地时间7月14日宣布，将投资30亿美元加强在日本的芯片制造，其中包括来自日本政府的10亿美元拨款。

　　声明称，第一阶段将大幅增加300毫米硅光子器件产能，预计将于2027年第四季度全面投产。该阶段包括改造原Fab 6工厂，使其具备300毫米硅光子器件产能和先进封装能力。基于这一阶段的增长前景，Tower正调整其业务模式，目标是在2028年实现36亿美元年营收和12亿美元净利润。

　　第二阶段将与第一阶段同步启动，包括在Fab 7工厂旁新建一座300毫米光刻机制造厂。