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模切冲型：将贴附离型膜后的所述聚酰亚胺膜进行模切冲型，打出第一排气结构及第
在所述耐高温基板上打出与所述第一排气结构及所述第一定位结构匹配的第二排气
2.根据权利要求1所述的半导体芯片高温承载治具的加工工艺，其特征在于：所述脱泡
3.根据权利要求1所述的半导体芯片高温承载治具的加工工艺，其特征在于：所述胶体
根据所述第一定位结构及所述第二定位结构将所述耐高温胶层与所述耐高温基板贴
将所述高粘层的离型膜撕掉，贴附所述耐高温基板，并保留所述低粘层的离型膜。
4.根据权利要求1所述的半导体芯片高温承载治具的加工工艺，其特征在于：所述差异
5.根据权利要求1所述的半导体芯片高温承载治具的加工工艺，其特征在于：所述第一
6.一种半导体芯片高温承载治具，其特征在于，包括：耐高温基板（10）、耐高温胶层、第
所述耐高温胶层包括聚酰亚胺膜（22）及设于聚酰亚胺膜（22）两面的高粘层（21）及低
所述耐高温基板（10）开设有第二定位结构（41）和第二排气结构（42）；
所述耐高温基板（10）通过所述高粘层（21）与所述聚酰亚胺膜（22）连接。
7.根据权利要求6所述的半导体芯片高温承载治具，其特征在于：所述第一排气结构
所述第二排气结构（42）的面积不小于所述耐高温基板（10）面积的10%；
层耐高温粘合层，粘合层提供了一定的粘力用以将承载物固定在治具表面，这种方式形成
的结合力非常好，但是同样智能单张加工，且每一次更换承载物都需要重新进行粘合层的
布置，导致成本高、产能低，且高温粘合层粘性不可控，经常会发生材料与承载治具粘合力
将所述高粘层的离型膜撕掉，贴附所述耐高温基板，并保留所述低粘层的离型膜。
本发明提供一种半导体芯片高温承载治具，包括：耐高温基板（10）、耐高温胶层、
所述耐高温胶层包括聚酰亚胺膜（22）及设于聚酰亚胺膜（22）两面的高粘层（21）
所述耐高温基板（10）开设有第二定位结构（41）和第二排气结构（42）；
所述耐高温基板（10）通过所述高粘层（21）与所述聚酰亚胺膜（22）连接。
进一步，所述第一排气结构（32）的面积不小于所述耐高温胶层面积的10%；
所述第二排气结构（42）的面积不小于所述耐高温基板（10）面积的10%；
1、本发明所述的半导体芯片高温承载治具的加工工艺，可以实现制作完成的产品
即使在回流焊高温180～200℃情况下，治具也不会发生翘曲、变形、鼓泡等问题。
2、本发明所述的半导体芯片高温承载治具，可以实现用户在治具表面放置产品，
加工完成后，治具表面仍保持稳定的合适的粘性，既能防止产品在运输过程中掉落、移位，
又能便于产品加工后机械手轻松移除，治具还可以重复使用高达50次以上，有效降低了重
复利用的成本，同时治具表面如果产生赃物或者胶面破坏，依旧可以将胶带拆除后重新贴
实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的
附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前
其中；10、耐高温基板；21、高粘层；22、聚酰亚胺膜；23、低粘层；31、第一定位结构；
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施
例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术
人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
“上”、“下”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置
关系，仅是为了便于描述和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定
将聚酰亚胺膜进行双面涂胶，该聚酰亚胺膜厚度为15um‑50‑um，将聚酰亚胺膜涂
膜的一侧为高粘层，另一侧为低粘层，本实施例采取将聚酰亚胺膜竖直放置，两个压力辊在
聚酰亚胺膜的垂直线上进行滚动，每一个压力辊上都有设有一种胶桶，为了方便描述，将两
种胶桶命名为第一胶桶及第二胶桶，第一胶桶对聚酰亚胺膜进行涂胶，为了方便描述，将第
一胶桶所涂胶的面命名为高粘层，将第二胶桶所涂胶的面命名为低粘层，在本发明中，高粘
当压力辊涂胶的同时，涂满胶水的聚酰亚胺膜进入烘干箱，烘干箱温度为180℃，
烘干箱对胶水进行烘干，烘干时间为30‑50分钟，通过这种方式防止胶水泄露，损耗流水线，
同时当胶水固化冷却完成后，对涂满胶水的聚酰亚胺膜贴附离型膜，并将贴附离型膜的聚
层输送到模切机进行模切冲型，将耐高温胶层打出阵列式排布的第一排气结构，第一排气
结构为多边形结构，且贯穿整个耐高温胶层，并且第一排气结构为排气孔型设计，排气孔的
孔径大小小于半导体芯片的直径大小，防止半导体芯片调入排气孔，因耐高温胶层需要布
置于耐高温基板上，所以耐高温胶层上的第一排气结构需要与耐高温基板的第二排气结构
匹配，为了保障耐热高温胶层与耐高温基板准确匹配，耐热高温胶层表面还设有第一定位
气结构，为了更加优化实施例，该钻孔方式选择激光打孔或者CNC钻孔方式设置第二定位结
孔进行准确对位贴合，从而保证排气结构能够准确套贴，不会发生偏移以至于堵塞其中的
该道工艺一定要严格的按照定位结构进行贴合，该道工艺是保证耐高温基板及耐高温胶层
重叠的关键，当需要贴合时，将高粘层的离型膜撕掉并与耐高温基板贴合，而低粘层在用户
使用时再撕掉，防止沾染灰尘，贴合后，耐热高温胶层的第一排气结构与耐高温基板的第一
要进行脱泡处理，本实施例所采用的脱泡工艺的脱泡压力为5‑8Mpa，脱泡10‑20分钟，为了
可以让胶体的流动性加强，气泡容易排出，可以将脱泡处理时的装置温度升高至40‑60℃，
通过上述方式可以将半成品治具的胶体内的气泡降至最低，接近于0，脱泡可以将胶体贴合
步骤中引入的肉眼看不见的细小气泡去除，可以让胶体贴合更为紧密，防止半成品治具在
高温使用时气泡脱出，影响使用，本实施例中采用将采用步骤S100‑S400的半成品治具放入
真空脱泡箱中进行脱泡处理，同样，还可以放入离心脱泡机中进行脱泡处理，即可得到完整
通过上述步骤，在将半导体芯片贴附在低粘层时，排气结构的正上方，即时将治具
进行180‑200℃的回流焊时，治具也不会出现翘曲、变形、鼓泡等问题，且通过低粘层的稳定
的粘性，芯片无移位脱落，治具可以重复利用50次以上，降低了重复利用的成本，同时治具
本发明实施例提供一种半导体芯片高温承载治具，请参阅图2及图3，包括：耐高温
基板10、耐高温胶层、第一定位结构31、第一排气结构32、第二定位结构41及第二排气结构
耐高温胶层设有第一定位结构31及第一排气结构32，第一排气结构32为阵列式排
气孔组成，第一定位结构31用于与耐高温基板10贴合时定位，使得与耐高温基板10贴合更
耐高温基板10也设有第二定位结构41及第二排气结构42，耐高温基板10的第二排
耐高温基板10的第二排气结构42及耐高温胶层的第一排气结构32不小于其本身
耐高温基板10与高粘层21进行贴合，聚酰亚胺膜22分别与高粘层21及低粘层23连
当需要进行耐高温胶层与耐高温基板10贴合时，耐高温胶层的第一排气结构32与
该耐热治具即使在180‑200℃的回流焊情况下依然可以稳定、不变形、不起泡及不
来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成的程序可以存储于一种计算机可读存储介
明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技