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　　集成电路制造工艺流程 集成电路制造工艺流程 1.晶圆制造(晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输) 晶体生长(CrystalGrowth) 晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。 将石英矿石经过电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.。 采用精炼石英矿而获得的多晶硅，参加少量的电活性“掺杂剂〞，如砷、硼、磷或锑，一同放入位于高温炉中融解。 多晶硅块及掺杂剂融化以后，用一根长晶线缆作为籽晶，插入到融化的多晶硅中直至底部。然后，旋转线缆并渐渐拉出，最后，再将其冷却结晶，就构成圆柱状的单晶硅晶棒，即硅棒。 此经过称为“长晶〞。 硅棒一般长3英尺，直径有6英寸、8英寸、12英寸等不同尺寸。 硅晶棒再经过研磨、抛光和切片后，即成为制造集成电路的基本原料——晶圆。 切片(Slicing)/边缘研磨(EdgeGrinding)/抛光(SurfacePolishing) 切片是利用特殊的内圆刀片，将硅棒切成具有准确几何尺寸的薄晶圆。 然后，对晶圆外表和边缘进行抛光、研磨并清洗，将刚切割的晶圆的锐利边缘整成圆弧形，去除粗糙的划痕和杂质，就获得近乎完美的硅晶圆。 包裹(Wrapping)/运输(Shipping) 晶圆制造完成以后，还需要专业的设备对这些近乎完美的硅晶圆进行包裹和运输。 晶圆输送载体可为半导体制造商提供快速一致和可靠的晶圆取放，并提高生产力。 2.沉积 外延沉积EpitaxialDeposition 在晶圆使用经过中，外延层是在半导体晶圆上沉积的第一层。 当代大多数外延生长沉积是在硅底层上利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法生长硅薄膜。外延层由超纯硅构成，是作为缓冲层阻止有害杂质进入硅衬底的。 过去一般是双极工艺需要使用外延层，CMOS技术不使用。 由于外延层可能会使有少量缺陷的晶圆能够被使用，所以今后可能会在300mm晶圆上更多 采用。 9.晶圆检查Waf

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