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　　1、流程：硅石 + 高纯度碳→冶金级硅→三氯氢硅提纯→单晶硅生长（直拉法/悬浮区熔法）→12道精密加工（滚切、切片、抛光等）；

　　3、先进技术：等离子体氧化（低温减缺陷）、ALD原子层沉积（原子级超薄氧化层）。

　　2、曝光：接触/接近→投影/步进，EUV极紫外光刻（7nm及以下量产）；

　　1、核心工艺：离子注入（精准控掺杂、低温、需退火修复）+ 扩散（预淀积 + 再分布）；

　　2、分区：集电区（磷穿透扩散降阻）、基区（硼扩散/离子注入）、发射区（磷扩散/高剂量注入）。

　　2、先进：难熔金属硅化物（NiSi先进节点首选）、铜互连（低阻，双大马士革工艺）；

　　2、先进技术：ALD、自组装单层SAMs、SiCN；柔性钝化适配柔性电子。